問答題寫出分辨率（R）公式及簡述提高分辨率的方法。
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根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
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題型：多項選擇題
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題型：問答題
集成電路電阻可以通過（）產生。
題型：多項選擇題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
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20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題