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問(wèn)答題簡(jiǎn)述高能離子轟擊的內(nèi)容。

1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電鍍的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：非常好的間隙填充能力，成本低、溫度低。
缺點(diǎn)：需要導(dǎo)電種子層，控制復(fù)雜。

2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述濺射的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：①臺(tái)階覆蓋能力好；②能沉積金屬合金；③能進(jìn)行原位濺射刻蝕。
缺點(diǎn)：濺射速率低，金屬膜含氬。

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述蒸發(fā)的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：①成膜速率高（能蒸發(fā)5微米厚的鋁膜）；②金屬膜純度高。
缺點(diǎn)：①臺(tái)階覆蓋能力差；②不能沉積金屬合金。

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述沉積多晶硅采用什么CVD工具？摻雜的Poly－Si的主要用途。寫出摻雜的Poly－Si做柵電極的6個(gè)原因。

5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在APCVD SiO₂時(shí)摻雜PH₃，形成磷硅玻璃（PSG）的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：吸附可動(dòng)離子電荷改善器件界面，降低玻璃的軟化點(diǎn)溫度易于平坦化。
缺點(diǎn)：易吸潮，一般控制P₂O₅的含量在4%以下。