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問(wèn)答題簡(jiǎn)述蒸發(fā)的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：①成膜速率高（能蒸發(fā)5微米厚的鋁膜）；②金屬膜純度高。
缺點(diǎn)：①臺(tái)階覆蓋能力差；②不能沉積金屬合金。

1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述沉積多晶硅采用什么CVD工具？摻雜的Poly－Si的主要用途。寫(xiě)出摻雜的Poly－Si做柵電極的6個(gè)原因。

2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在APCVD SiO₂時(shí)摻雜PH₃，形成磷硅玻璃（PSG）的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：吸附可動(dòng)離子電荷改善器件界面，降低玻璃的軟化點(diǎn)溫度易于平坦化。
缺點(diǎn)：易吸潮，一般控制P₂O₅的含量在4%以下。

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述低壓CVD系統(tǒng)（LPCVD）的優(yōu)缺點(diǎn)。

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述常壓CVD系統(tǒng)（APCVD）的優(yōu)缺點(diǎn)。

5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是異類(lèi)反應(yīng)和同類(lèi)反應(yīng)？