A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
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A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)
A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液
A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
最新試題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
位錯(cuò)就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）