多項選擇題硅外延片的應(yīng)用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路


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1.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理

2.單項選擇題位錯的形成原因是（）。

A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對

3.單項選擇題下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)

4.單項選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸

5.單項選擇題說明構(gòu)成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計過程叫（）：

A、邏輯設(shè)計
B、物理設(shè)計
C、電路設(shè)計
D、系統(tǒng)設(shè)計

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