單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行()擴散。

A.預
B.再
C.選擇


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1.單項選擇題Ⅰ號液是()過氧化氫清洗液.

A.堿性
B.酸性
C.中性

2.單項選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個需要的時間最長?()

A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個使用的時間長

3.單項選擇題恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學上稱為什么分布?()

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)

4.單項選擇題從離子源引出的是:()

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

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表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()

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