單項選擇題離子注入層的雜質濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量
B.劑量


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

2.多項選擇題硅外延片的應用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路

3.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理

4.單項選擇題位錯的形成原因是（）。

A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對

5.單項選擇題下列晶體管結構中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結構
D、梳狀結構

最新試題

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

題型：判斷題

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

題型：判斷題

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經過硼、砷摻雜后的兩個pn結質量優(yōu)劣的重要標志。（）

題型：判斷題

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

題型：判斷題

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

題型：判斷題

場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

題型：判斷題

目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經生產廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經退火反而壞了性能。（）

題型：判斷題

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

題型：判斷題

液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產生過飽和結晶。（）

題型：判斷題

位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）

題型：判斷題