單項(xiàng)選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅


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2.單項(xiàng)選擇題Ⅰ號(hào)液是（）過氧化氫清洗液.

A.堿性
B.酸性
C.中性

3.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)

4.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)

5.單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：（）

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

最新試題

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

題型：?jiǎn)柎痤}

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

題型：判斷題

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

題型：判斷題

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

題型：判斷題

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

題型：判斷題

點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

題型：判斷題

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

題型：判斷題

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

題型：判斷題

門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

題型：判斷題

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

題型：判斷題