最新試題
晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結構相同。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.（）
題型：判斷題
集成電容主要有哪幾種結構？
題型：問答題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）
題型：判斷題