A.滲透
B.清洗
C.觀察
D.顯像
E.上述都包括
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A.近表面缺陷
B.表面和近表面缺陷
C.表面缺陷
D.內(nèi)部缺陷
A.與被檢表面形成高對(duì)比度
B.與被檢表面形成低對(duì)比度
C.能粘附在被檢工件表面上
D.磁導(dǎo)率越低越好
A.縱向磁場(chǎng)、橫向缺陷
B.周向磁場(chǎng)、縱向缺陷
C.縱向磁場(chǎng)、縱向缺陷
D.周向磁場(chǎng)、橫向缺陷
A.表面裂紋形成的強(qiáng)
B.近表面裂紋形成的強(qiáng)
C.兩者無(wú)區(qū)別
D.上述都不對(duì)
A.材料被磁化難易程度
B.材料中磁場(chǎng)的穿透深度
C.工件需要退磁時(shí)間的長(zhǎng)短
D.保留磁場(chǎng)的能力
最新試題
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
對(duì)于鉬靶X射線管,在管電壓低于()千伏時(shí)是不會(huì)產(chǎn)生特征X射線的。
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
發(fā)生康普頓散射的條件是()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過(guò)一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
影響較大的散射線通常來(lái)自()
探頭的分辨力()
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()