A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
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A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加，晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加，晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分，板波可分為SH波和蘭姆波，探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān)，而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí)，只考慮相速度，無須考慮群速度
最新試題
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí)，適用的工件厚度為（）。
底波計(jì)算法是利用（）與平底孔反射回波相差的分貝（dB）值進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)。
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng)，超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為（）。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波，沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭，缺陷回波高度降低一半時(shí)，探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn)，兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為（）。
板波檢測(cè)可以發(fā)現(xiàn)（），其檢出靈敏度與儀器設(shè)備及波的形式有關(guān)。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度，即（）。
（）是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力，一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
（）和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射，這種波是（）。