判斷題中壓容器都屬于二類(lèi)容器、低壓容器都屬于一類(lèi)容器。

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1.單項(xiàng)選擇題下面哪種因素會(huì)改變趨膚效應(yīng)（）。

A.試驗(yàn)頻率
B.試件溫度
C.試件硬度
D.試件磁導(dǎo)率
E.以上都是

4.單項(xiàng)選擇題頻率比在什么條件下，表面下裂紋的信號(hào)振幅增大（）。

A.保持不變
B.減小
C.增大
D.以上都不是

7.單項(xiàng)選擇題渦流的響應(yīng)（）。

A.可以由若干個(gè)參數(shù)產(chǎn)生
B.可依據(jù)有關(guān)的變量進(jìn)行選擇
C.對(duì)不同參數(shù)的變化，響應(yīng)的相位和大小不同
D.以上都是

8.單項(xiàng)選擇題當(dāng)激勵(lì)電壓加于一次繞組時(shí)，只有磁通量是同相的，且二次磁通量較小。當(dāng)試驗(yàn)物體插入該線圈時(shí)，將發(fā)生什么情況（）。

A.物體變熱，不能得到信息
B.插入物體抵消了所有信息
C.插入物體會(huì)使二次磁通量增強(qiáng)，從而產(chǎn)生一個(gè)新的磁通量，可用它提供試驗(yàn)信息
D.從二次電壓中減去一次電壓，便得到凈電壓

9.單項(xiàng)選擇題試驗(yàn)線圈激勵(lì)電流應(yīng)保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。

A.只包含缺陷信息而不顯示磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化
B.不包含串音發(fā)生的信號(hào)
C.不包含電噪聲
D.以上都是

10.單項(xiàng)選擇題下面哪種是圍繞線圈在一個(gè)均勻的導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個(gè)性質(zhì)（）。

A.導(dǎo)體表面下的渦流最弱
B.導(dǎo)體內(nèi)的渦流相位是變化的
C.渦流沿直線流動(dòng)
D.沿線圈軸線的渦流最大

最新試題

阻抗圖中，實(shí)線曲線是什么值不同的曲線（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

寫(xiě)出VC-S滲透探傷的工藝流程。

題型：?jiǎn)柎痤}

試驗(yàn)線圈激勵(lì)電流應(yīng)保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時(shí)隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時(shí)，對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

題型：?jiǎn)柎痤}

有一個(gè)變量對(duì)渦流和磁場(chǎng)狀態(tài)的變化發(fā)生影響，線圈的輸出信號(hào)實(shí)際上是由這個(gè)變量產(chǎn)生的。這個(gè)變量是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

造成相同的x射線機(jī)曝光曲線不完全相同的原因是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

下面哪種是圍繞線圈在導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個(gè)性質(zhì)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下面哪種是圍繞線圈在一個(gè)均勻的導(dǎo)體中感應(yīng)出的渦流的一個(gè)性質(zhì)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題