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填空題半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按功能可分為：（）；非揮發(fā)存儲(chǔ)器有（）

參考答案： RAM，ROM；EPROM，E2-PROM，F(xiàn)LASH

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1.填空題一般的，存儲(chǔ)器由（）、（）和（）三部分組成。

2.填空題對一個(gè)512×512的NOR MOS，假設(shè)平均有50%的輸出是低電平，有一已設(shè)計(jì)電路的靜態(tài)電流大約等于0.21mA(輸出電壓為1.5V時(shí))，則總靜態(tài)功耗為（），就從計(jì)算得到的功耗看，這個(gè)電路設(shè)計(jì)的（）（“好”或“差”）。

參考答案：0.14W；差

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3.填空題可以把一個(gè)4Mb的SRAM設(shè)計(jì)成[Hirose90]由32塊組成的結(jié)構(gòu)，每一塊含有128Kb，由1024行和（）列的陣列構(gòu)成。行地址（X）、列地址（Y）、和塊地址（Z）分別為（）、（）、（）位寬。

參考答案：128；10；7；5

4.問答題 試分析下列對數(shù)移位器各種sh輸入下的輸出情況。

參考答案：當(dāng)sh1為低電平時(shí)，B3B2B1B0傳輸?shù)男盘枮锳3A2A1A0；
當(dāng)sh1為高電平時(shí)，B3B2B1B0傳輸?shù)?..

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5.問答題 試分析下列桶型移位器各種sh輸入下的輸出情況。

參考答案：當(dāng)sh0為高電平時(shí)，B3B2B1B0傳輸?shù)男盘枮锳3A2A1A0；
當(dāng)sh1為高電平時(shí)，B3B2B1B0傳輸?shù)?..

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