名詞解釋發(fā)射區(qū)推進效應
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關于PN 結的導電，下列敘述不正確的是：（）
題型：單項選擇題
根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。
題型：問答題
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：問答題
薄層電阻
題型：名詞解釋
在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：問答題
明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。
題型：問答題
在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
題型：判斷題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質B，P，As的擴散特性。
題型：問答題