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判斷題理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

1.判斷題p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

2.判斷題柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

3.判斷題n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

4.判斷題MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

5.判斷題柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。