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填空題氫化非晶硅的禁帶寬度可調(diào)，含氫量增加，禁帶寬度（）；在非晶硅中摻入Ge元素，其禁帶寬度（）。

1.填空題在單晶硅表面制作絨面時(shí)，常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和（），并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí)，可形成金字塔方椎形狀，腐蝕后方椎高度一般為3～6µm。

2.填空題工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）

3.填空題晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種，其中酸性蝕刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸當(dāng)緩沖劑，一般去除約10-20µm厚的表面層。

4.填空題目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法（改良西門子法）和（）兩種方法。

5.填空題對于晶體硅太陽能電池，環(huán)境對開路電壓和短路電流有一定影響，其中受溫度影響較大的是（），受太陽輻照度影響較大的是（）