A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
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A、最大值
B、最小值
C、算術(shù)平均值
D、中間值
A、20
B、30
C、40
D、50
A、8
B、10
C、12
D、13
A、5～8
B、6～10
C、7～9
D、6～12
A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
PN結(jié)的基本特性是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。