單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中蒸壓加氣混凝土抗凍性測驗試件冷凍后取出試件，放入預先降溫至（）℃以下的低溫箱或凍凍室，其間距不小于20mm。
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗的試件尺寸和數(shù)量為（）
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，蒸壓加氣混凝土干燥收縮值以3塊試件的（）進行評定，精確至0.01mm/m。
A、最大值
B、最小值
C、算術平均值
D、中間值
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，進行蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗時應在試件放置1d后，浸入（20±2）℃恒溫水槽中，水面應高出試件（）mm，保持72h。
A、20
B、30
C、40
D、50
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，應在蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗試件的兩個端面中心，各鉆一個深度為（）mm孔洞。
A、8
B、10
C、12
D、13
5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中，應在蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗試件的兩個端面中心，各鉆一個直徑尺寸為（）mm孔洞。
A、5～8
B、6～10
C、7～9
D、6～12
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題