單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標(biāo)準(zhǔn)中，蒸壓加氣混凝土砌塊同品種、同規(guī)格、同等級(jí)的砌塊，以（）塊為一批，不足該數(shù)量亦為一批。

A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬


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PN結(jié)的基本特性是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型：單項(xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

題型：單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題