多項選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強度標(biāo)準(zhǔn)試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
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1.多項選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼抗壓強度標(biāo)準(zhǔn)試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
2.多項選擇題制作砼抗壓強度同組試件的砼拌合物應(yīng)從（）砼中取樣。
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
3.多項選擇題以下（）選項性能參數(shù)是表征普通砼力學(xué)方面的性能參數(shù)。
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
4.多項選擇題制訂《普通砼力學(xué)性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》標(biāo)準(zhǔn)的目的包括（）。
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
5.多項選擇題以下試驗工序是水洗分析法砼配合比分析試驗的有（）。
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)（0.16mm以下粉料修正）測定
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題