多項選擇題制作砼抗壓強度同組試件的砼拌合物應從()砼中取樣。
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
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1.多項選擇題以下()選項性能參數是表征普通砼力學方面的性能參數。
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
2.多項選擇題制訂《普通砼力學性能試驗方法標準》標準的目的包括()。
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
3.多項選擇題以下試驗工序是水洗分析法砼配合比分析試驗的有()。
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(0.16mm以下粉料修正)測定
4.多項選擇題水洗分析法砼配合比分析試驗常用儀器設備有()。
A、孔徑為5mm和0.16mm的標準篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
5.多項選擇題水洗分析法砼配合比分析試驗不適用于以下()砼的試驗。
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
題型:單項選擇題