多項(xiàng)選擇題以下()稠度的砼試件宜采用搗棒人工搗實(shí)。
A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
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1.多項(xiàng)選擇題試驗(yàn)室拌制砼拌合物時(shí),稱(chēng)量精度為±0.5%的砼拌合材料有()。
A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
2.多項(xiàng)選擇題可以進(jìn)行自校驗(yàn)的砼力學(xué)性能試驗(yàn)儀器設(shè)備有()。
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
3.多項(xiàng)選擇題應(yīng)有周期計(jì)量檢定證書(shū)的砼力學(xué)性能試驗(yàn)儀器設(shè)備包括有()。
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、砼坍落度儀
4.多項(xiàng)選擇題砼力學(xué)性能試驗(yàn)的儀器設(shè)備包括有()。
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、鋼板尺
5.多項(xiàng)選擇題砼力學(xué)性能試件的尺寸構(gòu)造有公差要求的包括有()。
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長(zhǎng)、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
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下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
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改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題