A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
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A、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對(duì)稱于試件的兩端
D、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上，承壓面應(yīng)預(yù)先開(kāi)好安裝槽
A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
硅片拋光在原理上不可分為（）