A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
PN結(jié)的基本特性是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()