多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)普通混凝土小型空心砌塊的標(biāo)記示例，正確的有（）。

A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239


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3.多項(xiàng)選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊強(qiáng)度等級(jí)分為五級(jí)：MU3.5、MU5.0、MU7.5、（）。

A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0

4.多項(xiàng)選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊標(biāo)準(zhǔn)中輕集料混凝土小型空心砌塊的產(chǎn)品檢驗(yàn)分為（）。

A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)

5.多項(xiàng)選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊標(biāo)準(zhǔn)中輕集料混凝土小型空心砌塊的出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目包括（）。

A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對含水率

最新試題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：單項(xiàng)選擇題