A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
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你可能感興趣的試題
A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強聚酯氈
A.實驗的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時應距卷材邊緣不少于100mm
C.應同時標記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG,Ⅰ,3.0mm
B.APPPY,Ⅰ,4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET,Ⅱ,1.5mm
D.濕鋪防水卷材P,Ⅰ,1.5mm
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
PN結(jié)的基本特性是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。