A、內(nèi)縮量測(cè)量分為直接測(cè)量方式和間接測(cè)量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過(guò)測(cè)量預(yù)應(yīng)力筋錨固過(guò)程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
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A、總應(yīng)變測(cè)量若采用量具標(biāo)距的方式，標(biāo)距長(zhǎng)度不應(yīng)小于1m
B、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，總長(zhǎng)度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無(wú)膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫，下表面試件五個(gè)均無(wú)裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫，下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無(wú)膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。