最新試題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
等離子體
光生伏特效應(yīng)
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
有A和B兩種單質(zhì)晶體,我們知道A的晶格常數(shù)是5Å,帶隙是1.2eV,B的晶格常數(shù)是4Å,其帶隙有可能是()eV
非本征光電導(dǎo)
猝滅劑
敏化劑
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。