填空題從半導(dǎo)體制造來(lái)講,晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號(hào)是()、()和()。
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在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
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什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}