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填空題刻蝕剖面指的是（），有兩種基本的刻蝕剖面（）刻蝕剖面和（）刻蝕剖面。

1.填空題刻蝕是用（）或（）有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標(biāo)是（）。

2.填空題隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（）以形成一個凹槽，然后淀積（）來覆蓋其上的圖形，再利用（）把銅平坦化至ILD的高度。

3.填空題在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的三種方法是（）、（）和（）。

4.填空題光刻包括兩種基本的工藝類型：負(fù)性光刻和（），兩者的主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同，前者是（），后者是（）。

5.填空題CMP是一種表面（）的技術(shù)，它通過硅片和一個拋光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（），并同時施加（）。