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填空題集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。

1.填空題芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。

2.填空題熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。

3.填空題硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

4.填空題集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

5.填空題擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。