判斷題硅上的自然氧化層并不是一種必需的氧化材料,在隨后的工藝中要清洗去除。
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題