判斷題在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
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集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題