判斷題硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒有被電學(xué)激活。
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：問答題
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
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把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
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題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題