判斷題大馬士革工藝的名字來源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術(shù)家發(fā)明的一種技術(shù)。
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在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題