判斷題側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}