問答題埋層芯片互聯(lián)-后布線技術的結構特點及發(fā)展趨勢?
您可能感興趣的試卷
最新試題
什么是MOS器件的體效應?
題型:問答題
設計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結構?
題型:問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題