最新試題

下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:單項選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

題型:單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:單項選擇題