填空題.冷變形金屬在加熱時(shí)發(fā)生的三個(gè)過程依次為（），再結(jié)晶和晶粒長大。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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PN結(jié)的基本特性是（）
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
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下列是晶體的是（）。
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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