填空題在Fe-Fe3C相圖中,包含有三個(gè)恒溫轉(zhuǎn)變,其具體的相反應(yīng)式分別為,包晶反應(yīng)(),共晶反應(yīng)(),共析反應(yīng)()。
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下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題