填空題二次滲碳體只可能出現于碳含量大于()的鋼中,其形態(tài)是().
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
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把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
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最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
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