最新試題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項(xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:單項(xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()

題型:多項(xiàng)選擇題