填空題鋼淬火后馬氏體組織粗細(xì)主要取決于奧氏體的()。
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
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在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
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硅片拋光在原理上不可分為()
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把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
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