單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)，不宜少于（）測(cè)區(qū)，應(yīng)將單個(gè)構(gòu)件（單片墻、柱）作為一個(gè)測(cè)區(qū)。

A.5
B.6
C.8
D.10


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1.單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯(cuò)誤的（）。

A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件

2.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)不包括（）。

A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法

3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。

A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm

5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。

A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2

最新試題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題