單項(xiàng)選擇題推出法不宜用于當(dāng)水平灰縫的砂漿飽滿度低于（）的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
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1.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測(cè)試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
4.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對(duì)建筑物的部分或個(gè)別部位檢測(cè)時(shí)，一個(gè)檢測(cè)單元的測(cè)區(qū)數(shù)不宜少于（）個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題