A.300
B.350
C.400
D.450
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A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
A.10
B.8
C.6
D.5
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時(shí),可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時(shí),按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個(gè)檢測單元
D.每一個(gè)檢測單元內(nèi),不宜少于6個(gè)測區(qū)
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
PN結(jié)的基本特性是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。