單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法,檢測砌體工作應力、彈性模量可采用()。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
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1.單項選擇題對既有建筑物或應委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時,一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于()個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
2.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點數(shù)不少于()。
A.10
B.8
C.6
D.5
3.單項選擇題下列關于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是()。
A.當檢測對象為整棟建筑物時,可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時,按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi),不宜少于6個測區(qū)
4.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個檢測單元內(nèi),不宜少于()測區(qū),應將單個構(gòu)件(單片墻、柱)作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
5.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調(diào)查階段下列哪項工作是錯誤的()。
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題