A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
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A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）