A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
可用作硅片的研磨材料是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。