單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)測位內(nèi),測碳化深度時(shí),應(yīng)選擇3處灰縫,鑿出孔洞直徑約為()。

A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm


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4.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測時(shí),下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測點(diǎn)()。

A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱

最新試題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:單項(xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:單項(xiàng)選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

題型:單項(xiàng)選擇題

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:單項(xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項(xiàng)選擇題