單項選擇題點荷法所用壓力試驗機鋼質(zhì)加荷頭圓錐體內(nèi)角應為()度。
A.30
B.45
C.60
D.75
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題點荷法檢測砌筑砂漿強度時,測試用的壓力試驗機,最小讀數(shù)盤宜為()以內(nèi)。
A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
2.單項選擇題點荷法檢測時,每個測點處,宜取出()個砂漿大片。
A.2
B.3
C.4
D.5
3.單項選擇題原位雙剪法檢測時,對于測試步驟以下說法不正確的是()。
A.測試時,應將剪切儀主機放入開鑿好的孔洞中,并應使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應吻合開鑿孔洞過長時,在儀器尾部應另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀,應勻速施加水平荷載,并應直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對位移,試件達到破壞狀態(tài)
4.單項選擇題砂漿回彈法在計算每個測位回彈值算術平均值時,應精確到()。
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
5.單項選擇題砂漿回彈法在每個測位內(nèi),測碳化深度時,應選擇3處灰縫,鑿出孔洞直徑約為()。
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題